【摘 要】
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用SIMS和扩展电阻测试研究了常规p~+/n和n~+/n硅/硅键合界面的杂质O,H,C,N,Fe,Ni以及掺杂原子B,P的行为。经1 100℃ 1小时键合后,界面的H消失;O,C,N稳定;重金属杂质Fe,Ni仍在
【机 构】
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用SIMS和扩展电阻测试研究了常规p~+/n和n~+/n硅/硅键合界面的杂质O,H,C,N,Fe,Ni以及掺杂原子B,P的行为。经1 100℃ 1小时键合后,界面的H消失;O,C,N稳定;重金属杂质Fe,Ni仍在界面附近;掺杂原子B,P的扩散小于2μm。
The behavior of impurities O, H, C, N, Fe, Ni and dopants B, P at conventional p ~ + / n and n ~ + / n Si / Si bonding interfaces were investigated by SIMS and extended resistance measurements. After 1 hour at 100 ℃, the interface H disappears; O, C and N are stable; the heavy metal impurities Fe and Ni are still near the interface; the diffusion of dopant atoms B and P is less than 2μm.
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