论文部分内容阅读
我们利用光荧光（PL）以及时间分辨光谱（TRPL）研究了用MBE生长在GaAs衬底上的GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化。研究发现，在低渐下用连续光（CW）激发，由于GaNAs中势振荡所产生的局域激子发光是所测量到光谱的主要发光来源。然而在脉冲激发下，情况完全不同。在高载流子密度激发或者高温下GaNAs/GaAs量子阱中例外，一个高能端的PL峰成为了主要的发光来源。通过研究，我们将这个新的发光峰指认为量子阱中非局域激子复合的PL峰。这个发光峰在温度和激发强度的变化过程中与局域激子相互竞争。