【摘 要】
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层状陶瓷材料的电磁屏蔽效能对结构功能一体化层状陶瓷材料的设计具有重要影响。采用流延法与化学气相渗透（chemical vapor infiltration,CVI）工艺相结合制备SiCw/Si C层状陶瓷
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层状陶瓷材料的电磁屏蔽效能对结构功能一体化层状陶瓷材料的设计具有重要影响。采用流延法与化学气相渗透（chemical vapor infiltration,CVI）工艺相结合制备SiCw/Si C层状陶瓷,研究碳化硅颗粒（Si C particle,SiCp）、氮化硅颗粒（Si3N4particle,Si3N4p）对SiCw/Si C层状陶瓷电磁屏蔽性能的影响。结果表明：SiCw/Si C层状陶瓷具有较高的电磁屏蔽性能,颗粒的加入有助于提高层状陶瓷的电磁屏蔽性能。颗粒粒径越小,材料的电磁屏蔽性能越好;并且
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