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采用传输矩阵法计算光在掺杂缺陷的线性函数光子晶体中的传输特性，与不包舍缺陷的结构进行比较．研究结果表明，在禁带中形成缺陷模，其强度不仅与缺陷层位置有关，而且与缺陷层折射率的变化有关，并随着缺陷层住置的移动而变弱；缺陷层位置和缺陷折射率影响着场强分布。
缺陷对一维线性函数光子晶体传输特性的影响
【摘 要】
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采用传输矩阵法计算光在掺杂缺陷的线性函数光子晶体中的传输特性，与不包舍缺陷的结构进行比较．研究结果表明，在禁带中形成缺陷模，其强度不仅与缺陷层位置有关，而且与缺陷层折射率
【机 构】
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吉林师范大学物理学院,中国科学院高能物理研究所
【出 处】
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吉首大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2013年5期
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