不同铅气氛对0.2PZN-0.8PZT压电陶瓷性能的影响

来源 :压电与声光 | 被引量 : 0次 | 上传用户:skyforce2008
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
采用二次合成法制备了掺锰三元系压电陶瓷0.2PZN-0.8PZT,系统研究了铅气氛和非铅气氛条件对陶瓷显微组织,介电性能及压电性能的影响规律并探讨了铅气氛的作用机制.实验结果表明,加铅气氛保护的试样在研究的烧结温度范围内(1050~1200℃)具有良好的微观形貌,晶粒大小均匀、致密,综合压电性能优于未加铅气氛保护烧结的试样.
其他文献
提出了一种适合无驱动结构硅微机械陀螺信号线性补偿的新算法,通过补偿理论分析、软件程序编写和调试、硬件电路的构建与实现、实际测试的陀螺仪输出信号和实现补偿后陀螺仪输
介绍了一种刻蚀效果良好的应用于铁电存储器(FeRAM)的PZT薄膜的化学湿法化学刻蚀方法。采用典型的半导体光刻工艺,通过研究不同的刻蚀剂对PZT薄膜的化学刻蚀效果表明,利用BOE/HNO3
建立四分压电陶瓷管的动力学方程,研究了四分压电陶瓷管在伸长和弯曲时的边界条件。用有限元分析软件ANSYS对四分压电陶瓷管进行模态分析,得出该陶瓷管的前12阶谐振频率和模态
研究了合成工艺、烧结工艺、烧银工艺及极化工艺对PMSZT压电陶瓷相组成、显微结构及电性能的影响。结果表明,PZT压电陶瓷在合成温度为900℃时,可得钙钛矿结构;烧结温度1240℃时,
利用传统的固相合成法合成了纯钙钛矿结构的钛酸铋钠基压电陶瓷,研究了不同烧结温度下的钛酸铋钠基压电陶瓷的烧结行为,并对烧结过程中陶瓷表面出现第二相的机制进行了模型分析