PTCDA/p-Si异质结势垒区特性理论的研究

来源 :甘肃科学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：acecat

【摘要】

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有机半导体材料苝四甲酸二酐(PTCDA)是弱p型半导体材料,其载流子浓度为5×1015/cm3,禁带宽度为2.2eV,可与多种材料形成异质结.详细计算了PTCDA/p-Si异质结势垒形成的电势

【作者】

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【机构】

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甘肃联合大学数学与信息学院

【出处】

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甘肃科学学报

【发表日期】

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2008年4期

【关键词】

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有机半导体材料苝四甲酸二酐(PTCDA)是弱p型半导体材料,其载流子浓度为5×1015/cm3,禁带宽度为2.2eV,可与多种材料形成异质结.详细计算了PTCDA/p-Si异质结势垒形成的电势分布,电场分布和电流-电压(伏安)特性,计算结果与实验结果一致.

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