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采用共沉淀法制备了CoMn2O4/还原氧化石墨烯(CoMn2O4/rGO)复合电极材料,并研究了石墨烯含量对CoMn2O4/rGO复合材料形貌、微观结构及电化学性能的影响.结果表明:CoMn2O4纳米颗粒沉积在石墨烯纳米片的表面,随着石墨烯含量的增加,CoMn2O4纳米颗粒在rGO表面的分布逐渐均匀,聚集现象消失.CoMn2O4/rGO具有高的比表面积及优良的电化学性能,其中CoMn2O4/rGO20(rGO质量分数为20％)电容性能最好,在电流密度1A/g时具有1420F/g的比电容.CoMn2O4/rGO30(rGO质量分数为30％)的倍率性能和循环稳定性能最好.2000次充放电后,样品CoMn2O4/rGO30在5A/g时的比电容保持率为94％,样品CoMn2O4的比电容保持率为78％.