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在研究大量实验曲线的基础上,指出势阱所有能级均有一定的宽度,电子或空穴在各能级中出现的概率符合正态分布,从理论上分析了I类超晶格和双势垒单势阱的发光光谱与吸收光谱.解释了GaAs/Ga1-xAlxAs多量子阱和超晶格吸收光谱吸收边及量子阱变窄时各吸收峰的"蓝移现象"及GaAs/Ga1-xAlxAs双势垒单量子阱样品的电流-电压特性曲线及电导-电压特性曲线的特征和出现的"负阻效应".