注F^+NMOSFET的电离辐照与退火特性

来源 :核技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhanghtlx
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
比较了CC4007电路栅介质中注F'和未注F'的NMOS晶体管在不同偏置辐照和不同环境退火的行为,结果表明,栅介质中F'的引入能明显降低器件的辐照敏感性,提高器件的可靠性能.表现为在同样辐照偏置下注F'器件比未注F'器件的阈电压漂移小,辐照后退火期间的界面态、氧化物电荷变化稳定.
其他文献
本桥采用目前国内比较先进的钢与混凝土叠合梁.加劲梁截面属异形截面、不对称结构,如何控制焊接变形以保证大桥的制作、安装精度是本项目的关键.经过摸索,本项目的变形主要是
会泽县自1996年提出"科教兴县,科普先行"的战略后,科技之花绽放,先后有40余万人,依靠科技摆脱贫困走上了小康之路.
通过对2003年我国公众科学素养状况调查及其特点进行分析,结合云南实际,对公众科学素养相对较高的昆明市进行了专项研究.指出了云南省公众科学素养面临的巨大差距及提高我国
水富县努力实践"三个代表"的重要思想,紧紧围绕农民增收、农业增效这个重点,狠抓农业科技的综合试验示范,实施四项农业科技示范项目取得明显成效.
用六种阈能探测器Fe、Al、C2F4、Nb、Zr和Cu测量了D-T聚变中子在柱状组合材料上的高阈能活化反应率,讨论了实验结果.用MCNP/4B程序计算了实验装置上的活化反应率,并与实验结