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注F^+NMOSFET的电离辐照与退火特性
注F^+NMOSFET的电离辐照与退火特性
来源 :核技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhanghtlx
【摘 要】
:
比较了CC4007电路栅介质中注F'和未注F'的NMOS晶体管在不同偏置辐照和不同环境退火的行为,结果表明,栅介质中F'的引入能明显降低器件的辐照敏感性,提高器件的可
【作 者】
:
崔帅
余学峰
任迪远
张华林
【机 构】
:
新疆理化技术研究所
【出 处】
:
核技术
【发表日期】
:
2004年8期
【关键词】
:
辐照
注F′
NMOS
阈电压
退火
可靠性
Irradiation
F+ implantation
NMOS
Threshold voltage
A
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比较了CC4007电路栅介质中注F'和未注F'的NMOS晶体管在不同偏置辐照和不同环境退火的行为,结果表明,栅介质中F'的引入能明显降低器件的辐照敏感性,提高器件的可靠性能.表现为在同样辐照偏置下注F'器件比未注F'器件的阈电压漂移小,辐照后退火期间的界面态、氧化物电荷变化稳定.
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