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介绍了EEPROM的电学模型，模拟分析了阈值电压变化与写入时间、写入电压、隧道孔面积、浮栅面积的关系．根据模拟结果，采用0．6μm CMOS工艺，对双层多晶硅FLOT EEPROM进行了流片，PCM的测试结果验证了模拟结果在实际工艺中的可行性。模拟得出的工艺参数评价为制造高性能的存储单元打下了坚实的基础。