H+2,H+3团簇离子在沟道条件下的背散射质子产额测量

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【摘要】

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采用卢瑟福背散射方法,测得了每质子能量为650 keV的H+2,H+3团簇离子在Si晶体和沟道条件下的质子背散射能谱.结果发现,由于H+2,H+3团簇在晶体中的库仑爆炸和团簇效应,H+2的背

【作者】

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杨朝文 V.A.Khodyrev V.S.Kulikausk

【机构】

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四川大学物理科学与技术学院,原子核科学技术研究所,成都,610064莫斯科大学核物理研究所,莫斯科 119899,俄罗斯;

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2003年8期

【关键词】

：

团簇沟道效应库仑爆炸背散射

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采用卢瑟福背散射方法,测得了每质子能量为650 keV的H+2,H+3团簇离子在Si晶体和沟道条件下的质子背散射能谱.结果发现,由于H+2,H+3团簇在晶体中的库仑爆炸和团簇效应,H+2的背散射质子产额大于H+的背散射产额,而H+3的背散射质子产额又大于H+2的背散射质子产额.通过计算,分别得到了H+2,H+3在和沟道方向的背散射质子产额相对于随机方向背散射产额之比随深度的分布.

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