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采用化学腐蚀法分别在单晶Si和多晶Si上制备了多孔Si.对室温下HF、HNO3的不同配比进行了实验比较,用显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观察了多孔Si的表面形貌,用紫外激发观察了它的荧光光谱并用反射光谱测试结果研究了多孔Si的光学特性.采用一步多孔Si法制备了1 cm×1 cm的单晶和多晶Si电池,比较了制备多孔Si前后电池的各项性能参数.实验表明:多孔Si对于提高单晶Si和多晶Si电池的电学特性都有重要作用.