【摘 要】
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通过观察晶体的畴结构和测量晶体的铁电,热电,介电性能,确定了ATGSAs 晶体的畴结构,性能和生长条件之间的关系,并利用定向生长技术,成功地培育出了大面积掺杂均匀的 ATGSAs
【机 构】
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山东大学晶体材料研究所,山东大学晶体材料研究所,山东大学晶体材料研究所,
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通过观察晶体的畴结构和测量晶体的铁电,热电,介电性能,确定了ATGSAs 晶体的畴结构,性能和生长条件之间的关系,并利用定向生长技术,成功地培育出了大面积掺杂均匀的 ATGSAs 单畴晶体,已用来制出高质量的热释电摄象管和探测器。
By observing the domain structure of the crystal and measuring the ferroelectric, pyroelectric and dielectric properties of the crystal, the relationship between the domain structure, the performance and the growth conditions of the ATGSAs crystal was confirmed. By using the directional growth technology, the large area doped Heterogeneous ATGSAs single domain crystals have been used to produce high quality pyroelectric tubes and detectors.
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