【摘 要】
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在 5 0 0℃石英玻璃管基质上 ,化学气相沉积法制备Sb掺杂氧化锡SnO2 ·X膜。研究了元素掺杂量、镀膜温度和退火处理对电阻温度特性的影响。应用实验结果表明 ,SnO2 ·X膜热效
【机 构】
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吉林化工学院制药与应用化学系,吉林化工学院制药与应用化学系,西南石油学院化学化工学院 吉林132022,吉林132022,四川南充637001
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在 5 0 0℃石英玻璃管基质上 ,化学气相沉积法制备Sb掺杂氧化锡SnO2 ·X膜。研究了元素掺杂量、镀膜温度和退火处理对电阻温度特性的影响。应用实验结果表明 ,SnO2 ·X膜热效率高 ,功率密度达到 42W·cm-2 。
Sb doped SnO2 · X films were prepared by chemical vapor deposition on a 500 ℃ quartz glass tube substrate. The effects of element doping amount, coating temperature and annealing treatment on the temperature characteristics of the resistor were investigated. The experimental results show that SnO2 · X film has high thermal efficiency and power density of 42W · cm-2.
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