【摘 要】
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热激电流谱测试技术（TSC）是宽禁带半导体深能级缺陷非常有效的测试方法,能够精准获得缺陷类型,深度（E_（a,i））,浓度（N_i）以及俘获截面（σ_i）等重要物理信息。研究了基于变升温速率的Arrh
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室,辐射探测材料与器件工信部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（51502244,U1631116,51372205）, 国家重点研发计划项目（2016YFF0101301,2016YFE0115200）资助
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热激电流谱测试技术（TSC）是宽禁带半导体深能级缺陷非常有效的测试方法,能够精准获得缺陷类型,深度（E_（a,i））,浓度（N_i）以及俘获截面（σ_i）等重要物理信息。研究了基于变升温速率的Arrhenius公式作图法和同步多峰分析法（SIMPA）对热激电流谱数据处理的差异及影响规律。结果表明,Arrhenius公式作图法在陷阱能级深度确认方面较为准确,但需要通过多次变升温速率提高其准确性,实验操作周期较长,并且无法分解热激电流谱峰重叠的情况。相比之下,同步多峰分析法能够通过单次温度扫描的数据处理得到E
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