【摘 要】
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3D堆叠芯片采用硅通孔（Through-Silicon Vias,TSVs）技术垂直连接多个裸晶（die）,具有较高的芯片性能和较低的互连损耗,引起工业界和学术界的广泛关注。随着3D芯片堆叠层数的增加,
【机 构】
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湖北理工学院计算机学院,长沙理工大学计算机与通信工程学院
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3D堆叠芯片采用硅通孔（Through-Silicon Vias,TSVs）技术垂直连接多个裸晶（die）,具有较高的芯片性能和较低的互连损耗,引起工业界和学术界的广泛关注。随着3D芯片堆叠层数的增加,一个TSV小故障都可能导致成本的大幅度增加和芯片良率的大幅度降低。TSV的密度与故障的发生概率有着密切的关系,TSV密度较大时,其发生故障的概率就会增大。为了减少故障产生的概率,提高良率,提出一种以密度为导向的TSV容错结构,首先将TSV平面分成多个密度区间,密度较大区间的信号TSV被分配较多的修复TSV,
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