【摘 要】
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本文测定了Cs3Cu2 I5 晶体薄膜在室温及液氮温度下的吸收谱,并依此计算出该材料的激子参数,即激子束缚能ΔE(1)ex = (0.53±0.07)eV,激子半径aex = 0.326 nm ,禁带宽度Eg = (5.00±0.07)eV。在谱分析的基础上,论证了Cs3Cu2I5 的电子和激子激发定
【机 构】
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清华大学现代应用物理系!100084北京,清华大学现代应用物理系!100084北京,中国科学院物理所!100080北京,清华大学现代应用物理系!100084北京
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本文测定了Cs3Cu2 I5 晶体薄膜在室温及液氮温度下的吸收谱,并依此计算出该材料的激子参数,即激子束缚能ΔE(1)ex = (0.53±0.07)eV,激子半径aex = 0.326 nm ,禁带宽度Eg = (5.00±0.07)eV。在谱分析的基础上,论证了Cs3Cu2I5 的电子和激子激发定域在该晶体的CuI亚晶格之中,同时,揭示了在低温下Csx Cu1- x I系列化合物的第一激子峰位置随其摩尔组分变化的规律。
In this paper, the absorption spectra of Cs3Cu2 I5 thin films at room temperature and liquid nitrogen temperature were measured and the exciton parameters of the material were calculated, ie, the exciton binding energy ΔE (1) ex = (0.53 ± 0.07) eV, exciton radius aex = 0.326 nm, band gap Eg = (5.00 ± 0.07) eV. Based on the spectral analysis, it is demonstrated that the electron and exciton excitation of Cs3Cu2I5 are localized in the CuI sublattice of the crystal, and the first exciton peak position of the CsxCu1-xI series compound at low temperature With the changes in the molar composition of the law.
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