【摘 要】
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以ZnO、Al2O3粉体为原料,采用常压烧结方法制备高导电性ZnO∶Al陶瓷靶材,并系统研究了Al掺杂量对该靶材的晶体结构、微观形貌以及电学特性的影响。结果表明：Al2O3掺杂量是影响
【机 构】
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天津新华职工大学,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
【基金项目】
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天津市重点基金项目（No.06YFJZJC01700）,科技部基础研究973项目（No.2006CB202602,No.2006CB202603）
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以ZnO、Al2O3粉体为原料,采用常压烧结方法制备高导电性ZnO∶Al陶瓷靶材,并系统研究了Al掺杂量对该靶材的晶体结构、微观形貌以及电学特性的影响。结果表明：Al2O3掺杂量是影响ZnO陶瓷靶材导电性的重要因素之一。随Al∶Zn原子比从0∶100变化至8.0∶100,电阻率呈现先递减后递增的规律。当Al∶Zn原子比为4.0∶100时,所制备的ZnO陶瓷靶材电阻率最低,为4.1×10^-3Ω·cm;当Al掺杂量超过某一数值后,将导致锌铝尖晶石相（ZnAl2O4）的生成,从而使材料的电
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