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在当前大规模红外焦平面器件的研制中,高性能器件的制备需要高质量、大面积、组分均匀的碲镉汞材料.衬底和外延材料的晶格失配导致了大量的位错增殖,严重影响红外焦平面器件的工作性能.本文对各种衬底进行了比较,并对Si基和Ge基上的外延碲镉汞材料的生长工艺及性能进行了调研和评价.
在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe
【摘 要】
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在当前大规模红外焦平面器件的研制中,高性能器件的制备需要高质量、大面积、组分均匀的碲镉汞材料.衬底和外延材料的晶格失配导致了大量的位错增殖,严重影响红外焦平面器件
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所
【出 处】
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红外
【发表日期】
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2005年9期
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