【摘 要】
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采用超高压电子显微镜观察并研究了水平法生长掺Si-GaAs晶体的微夹杂,电子衍射分析表明它们主要是四方晶系的a-方石英(a_0=4.971,c_0=5.92)。初步探讨其在锭条中分布规律
【机 构】
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冶金部有色金属研究总院,冶金部有色金属研究总院,
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采用超高压电子显微镜观察并研究了水平法生长掺Si-GaAs晶体的微夹杂,电子衍射分析表明它们主要是四方晶系的a-方石英(a_0=4.971,c_0=5.92)。初步探讨其在锭条中分布规律及生长机制。
The micro-inclusions doped with Si-GaAs crystals grown by horizontal method were observed and studied by EHV electron microscopy. The results of electron diffraction showed that they are a-cristobalite (a_0 = 4.971, c_0 = 5.92). Preliminary study of its distribution in the ingot rules and growth mechanism.
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