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在相同氢稀释硅烷浓度和相同的其它沉积参数情况下,在电池和玻璃上本征材料晶化程度不同,微结构有差别.硅烷浓度SC=8%～2%区间采用提高氢稀释硅烷浓度的方法沉积非晶硅,可使材料的有序度提高.本征层材料硅烷浓度SC=6%的电池在沉积时随着衬底温度的增高,电池的开路电压逐渐减小;电池的填充因子随着本征层压力的增大也呈现上升趋势,开路电压随着沉积压力的增大又逐渐降低.