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<正> 用通常 MOS 或者 D-MOS(双扩散 MOS)制造的串接式结构的场效应晶体管已在国内外各公司进入实用阶段,然而,串接式结型场效应晶体管尽管很早就提出来了,但花了很长时间才得以实现。其最大理由之一可能是因为串接式结型场效应晶体管制造条件超越当时半导体制造技术能力。然而,由于近年来外延技术、选择扩散技术以及光刻技术的进展,终于在国内一些公司开始实用。我们之所以着眼于串接式结型场效应晶体管,是因为它不同于以前的单栅结型场效