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讨论了采用埋栅结构实现GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)增强型模式工作的有关问题，提出了增强型MHEMT的设计与实现方法．通过不同金属(Al，Pt，Ti)／InAlAs Schottky势垒系统的实验比较研究，确定在增强型MHEMT工艺中采用具有最高势垒高度的Pt Schottky埋栅结构；并进行了以最佳“推栅”温度为重点的器件工艺的深入研究．在此基础上通过实验研制的原理性1．0μm×100μm Pt栅增强型MHEMT的特性获得了夹断电压为+0．12V，跨导为470mS／mm及截止频