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采用超高真空化学气相淀积系统制备了小尺寸、高密度、纵向自对准的Ge量子点.通过TEM和AFM对埋层和上层量子点的形貌和尺寸分布进行了研究,对生长的温度和时间进行了优化.采用硼预淀积的方法得到了尺寸分布小于300的均匀的圆顶形Ge量子点.采用低温光荧光测量了多层量子点的光学特性.在10 K的PL谱可以观察到明显的蓝移现象,表明量子点中较强的量子限制效应.量子点非声子峰的半高宽约为46 meV,表明采用UHV/CVD工艺生长的多层量子点具有较窄的尺寸分布.