【摘 要】
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基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件Medici研究了深亚微米槽栅PMOS器件衬底和沟道掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响,并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解
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基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件Medici研究了深亚微米槽栅PMOS器件衬底和沟道掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响,并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解释.研究发现,随着沟道杂质浓度的提高,器件的抗热载流子能力增强;而随着衬底掺杂浓度的提高,器件的抗热载流子性能降低.这主要是因为这些结构参数影响了电场在槽栅MOS器件内的分布和拐角效应,从而影响了载流子的运动并使器件的热载流子效应发生变化.
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