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在 p H2～ 3、温度 80～ 85℃的 Zn2 + 溶液中通入 H2 S气体 ,制取高纯 Zn S粉 .将 Zn S粉压制成形 ,通过高温烧结和快速冷却 ,可制成符合真空蒸发镀膜要求的 Zn S靶材 .Zn S靶的化学纯度及密度是影响镀膜质量的重要因素 ,烧结 Zn S靶的表观密度为 3.6 5～ 3.85g/ cm3 .本试验制备的 Zn S靶的镀膜符合光学元件要求的镀膜