【摘 要】
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利用超高真空磁控共溅沉积系统在Si(100)衬底上溅射Ge组分渐变的Si1-xGex缓冲层,并在其上制备Ge薄膜,采用快速热退火(RTA)对Ge薄膜进行退火处理。采用X薄膜表征。结果表明:使
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利用超高真空磁控共溅沉积系统在Si(100)衬底上溅射Ge组分渐变的Si1-xGex缓冲层,并在其上制备Ge薄膜,采用快速热退火(RTA)对Ge薄膜进行退火处理。采用X薄膜表征。结果表明:使用该方法制备的Ge800℃,110 s的退火条件下随衬底温度的升高,Ge500℃时磁控溅射沉积的Ge薄膜,经800℃,110 s尺寸达到41 nm,为后续替代锗单晶作为多结电池衬底材料打下良好的基础。
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