【摘 要】
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为了证实某一研究结果的正确性，常常需要采用两种以上 相互独立的方法对同一物理量进行测量或计算。本文采用新颖的远红 外光谱技术和常用的Hall、C-V 等电学测量技术同时对MB
【机 构】
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上海交通大学应用物理系，光电材料与光电器件实验室上海 200030中国科学院上海技术物理研究所，半导体薄膜材料研究中心上海 200083;
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为了证实某一研究结果的正确性，常常需要采用两种以上 相互独立的方法对同一物理量进行测量或计算。本文采用新颖的远红 外光谱技术和常用的Hall、C-V 等电学测量技术同时对MBE生长的 ZnSe:Cl,N薄膜中的载流子浓度进行评价研究， 发现电学法和光学法测 量的结果可以很好地吻合，从而确认了ZnSe宽禁带蓝绿色发光材料中 较高的掺杂水平。
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