【摘 要】
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采用磁控溅射法,结合真空异位退火,成功制备MgB2超导薄膜,探索了退火温度、退火时间、磁控溅射功率和溅射气压对MgB2薄膜超导特性的影响。通过XRD、SEM和PPMS测量的结果来分
【基金项目】
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国家自然科学基金(51462003);贵州省国际科技合作计划(2013-7012);贵州大学研究生创新基金(2015084)
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采用磁控溅射法,结合真空异位退火,成功制备MgB2超导薄膜,探索了退火温度、退火时间、磁控溅射功率和溅射气压对MgB2薄膜超导特性的影响。通过XRD、SEM和PPMS测量的结果来分析退火及溅射的工艺参数对MgB2超导薄膜的晶体结构、表面形貌及超导性能的影响。研究表明,退火温度为670℃,退火时间为2h,MgB2靶溅射功率控制在300W,Ar溅射气压保持为2Pa,MgB2薄膜表现出最优的超导特性,其临界电流密度Jc为1.8×105A/cm2。
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