【摘 要】
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垂直腔面发射激光器Ｐ型λ／４分布布喇格反射镜由于在ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ材料λ／４堆积层界面处存在大的势垒差，使得ｐ型ＤＢＲ串联电阻很大。文章报道一种利用Ｚｎ扩散工艺，使ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓλ／４堆积层Ａｌ，Ｇａ互扩散，形成ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ混熔层或在界面处形成
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垂直腔面发射激光器Ｐ型λ／４分布布喇格反射镜由于在ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ材料λ／４堆积层界面处存在大的势垒差，使得ｐ型ＤＢＲ串联电阻很大。文章报道一种利用Ｚｎ扩散工艺，使ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓλ／４堆积层Ａｌ，Ｇａ互扩散，形成ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ混熔层或在界面处形成Ａｌ，Ｇａ组分渐变的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ缓变层，从而降低ｐ型ＤＢＲ串联电阻的方法。利用这种方法，已研制成功室温连续工作的垂直腔面发射激光器
Vertical Cavity Surface Emitting Lasers P-type λ / 4 Distributed Bragg Mirrors P-type DBRs have large series resistance because of the large potential barrier at the λ / 4 stack interface of the AlAs / Al0.1Ga0.9As material. The article reports the use of a Zn diffusion process to diffuse Al, Ga, Al, GaAs layers in AlAs / Al0.1Ga0.9Asλ / 4 to form an AlxGa1-xAs mixed layer or AlxGa1-xAs buffer Layer, thereby reducing the p-type DBR series resistance method. Using this method, vertical cavity surface-emitting lasers that have been successfully operated at room temperature have been developed
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