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基于是荷分享原理，推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应引起的阈值电压下降，分析了衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度及硅膜厚度等因素对阈值电压下降的影响，并用数值模拟验证了理论结果。这些研究结果对进一步开展纳米CMOS新器件的研究有很好的参考价值和实际意义。
双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降
【摘 要】
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基于是荷分享原理，推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应引起的阈值电压下降，分析了衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度及硅膜厚度等因素对阈值电压下降的影响，并用数值模拟验证了理论结果。
【机 构】
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北京大学微电子学研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2001年12期
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