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BP-212正性光刻胶作为掩膜在BHF腐蚀液中腐蚀十几分钟后,光刻胶被腐蚀液破坏而浮胶.玻璃或热生长的二氧化硅深槽腐蚀时间要求几十分钟,传统解决办法是多次光刻腐蚀.本文研究了光刻胶抗腐蚀特性,得出足够的活化时间、合适的匀胶转速、多次坚膜腐蚀可以延长产生浮胶时间的结论.
BP-212正性光刻胶的抗蚀特性研究
【摘 要】
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BP-212正性光刻胶作为掩膜在BHF腐蚀液中腐蚀十几分钟后,光刻胶被腐蚀液破坏而浮胶.玻璃或热生长的二氧化硅深槽腐蚀时间要求几十分钟,传统解决办法是多次光刻腐蚀.本文研究
【机 构】
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厦门大学机电工程系,厦门大学萨本栋微机电研究中心,厦门大学机电工程系
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2005年2期
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