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用射频磁控反应溅射法在二氧化硅衬底上制备ZnO薄膜.得到了在不同温度下ZnO薄膜的吸收与光致发光.观测到了纵光学波(LO)声子吸收峰与自由激子吸收峰;室温(300K)下,PL谱中仅有自由激子发光峰.这些结果证实了ZnO薄膜具有较高的质量.探讨了变温ZnO薄膜的发光特性.研究了ZnO薄膜的受激发射特性.