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我们采用真空热蒸镀的方法,在60℃的SiO2衬底上生长了并五苯薄膜。通过X-射线衍射、原子力显微镜和Raman散射光谱等手段,分析了薄膜的结晶状态和微观形貌,证明了在衬底温度为60℃的条件下,可以用真空镀膜法生长出具有较高结晶度的并五苯薄膜。此外,我们讨论了并五苯薄膜的紫外-可见吸收光谱和光致发光光谱,分析了各个谱峰形成的原因。