【摘 要】
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对不同温度(120~363 K)下InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构蓝光发光二极管(LED)的电学特性进行了测试与深入的研究。发现对数坐标下I-V特性曲线斜率随温度变化不大。分别用载流子
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对不同温度(120~363 K)下InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构蓝光发光二极管(LED)的电学特性进行了测试与深入的研究。发现对数坐标下I-V特性曲线斜率随温度变化不大。分别用载流子扩散-复合模型和隧道复合模型对其进行计算,发现室温下其理想因子远大于2,并且随着温度的下降而升高;而隧穿能量参数随温度变化不大。这说明传统的扩散-复合载流子输运模型不再适用于InGaN/GaN MQW蓝光LED。分析指出由于晶格失配以及生长工艺的制约,外延层中具有较高的缺陷密度和界面能级密度,导致其主要输运机制为载流子的隧穿。
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