直接氮化法制备纳米晶TiN薄膜

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【摘要】

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首先采用溶胶-凝胶法在Al2O3基体上制备了TiO2纳米晶薄膜,然后在管式气氛炉中,用氨气作为还原剂,直接氮化制备TiO2纳米晶薄膜;从而成功地在α-Al2O3陶瓷基片上制备了纳米晶Ti

【作者】

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姜洪波高濂李景国

【机构】

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中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室

【出处】

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无机材料学报

【发表日期】

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2003年2期

【关键词】

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直接氮化法纳米晶TiN薄膜 TIO2薄膜 direct nitridation nanocrystalline TiN film TiO2 film

【基金项目】

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国家重点基础研究发展计划(973计划)

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首先采用溶胶-凝胶法在Al2O3基体上制备了TiO2纳米晶薄膜,然后在管式气氛炉中,用氨气作为还原剂,直接氮化制备TiO2纳米晶薄膜;从而成功地在α-Al2O3陶瓷基片上制备了纳米晶TiN薄膜.利用XRD、XPS、FE-SEM等分析技术,研究了制备的纳米晶TiN薄膜的相组成及形貌.结果表明最佳工艺条件为:氮化温度为700℃,氮化时间为1h.

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