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研究了反应烧结碳化硅陶瓷在１３００℃空气中的高温氧化行为。结果表明：高温氧化过程中在试样表面出现的非晶态ＳｉＯ２晶化以及氧化膜起裂，使得该陶瓷氧化曲线遵循对数氧化规律。
反应烧结碳化硅陶瓷的高温氧化行为研究
【摘 要】
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研究了反应烧结碳化硅陶瓷在１３００℃空气中的高温氧化行为。结果表明：高温氧化过程中在试样表面出现的非晶态ＳｉＯ２晶化以及氧化膜起裂，使得该陶瓷氧化曲线遵循对数氧化规律。
【机 构】
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西安交通大学
【出 处】
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稀有金属材料与工程
【发表日期】
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2000年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金!资助项目 (批准号 :5 9772 0 13 )
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