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<正> 对功率MOSFET热设计的考虑与双极型功率晶体管基本上相同。对功率MOSFET的情况,使用条件下的允许沟道温度最高限制一般为150℃,(在设计时,考虑20％左右的富余量,所以推荐使用在125℃以下)。下面举三个例子说明一下沟道温度的计算法。
如何推算功率MOSFET的沟道温度
【摘 要】
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<正> 对功率MOSFET热设计的考虑与双极型功率晶体管基本上相同。对功率MOSFET的情况,使用条件下的允许沟道温度最高限制一般为150℃,(在设计时,考虑20％左右的富余量,所以推荐
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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1990年3期
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