【摘 要】
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对薄膜积累型SOIpMOSFET的制备和特性进行了研究 .把一些特性和反掺杂型SOIpMOSFET进行了比较 .其亚阈值斜率只有 6 9mV/decade ,而且几乎没有DIBL效应 .漏击穿电压为 10 5V
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所 北京100029,北京100029,北京100029
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对薄膜积累型SOIpMOSFET的制备和特性进行了研究 .把一些特性和反掺杂型SOIpMOSFET进行了比较 .其亚阈值斜率只有 6 9mV/decade ,而且几乎没有DIBL效应 .漏击穿电压为 10 5V ,与反掺杂型相比 ,提高了 4 0 % .饱和电流为 130 μA/ μm ,比反掺杂型提高了 2 7%以上 .在 3V工作电压下 ,10 1级SOICMOS环形振荡器的单级门延迟为5 6ps.
The fabrication and characterization of the film-buildup type SOIpMOSFETs were studied, and some characteristics were compared with that of the counter-doped SOIpMOSFETs with a sub-threshold slope of 69 mV / decade with almost no DIBL effect. The leakage breakdown voltage was 10 5 V, Compared with the anti-doped type, increased 40% saturation current of 130 μA / μm, compared with the anti-doped type increased by more than 27% at 3V operating voltage, 10 1 SOICMOS ring oscillator single stage The gate delay is 56ps.
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