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由于SiC在电子半导体方面有较大应用,纯度要求就成为主要限制,尤其是碳杂质的影响。本实验对SiC微粉首先经过不同温度的煅烧测定烧失率确定最佳煅烧温度,然后在最佳煅烧温度下通过不同保温时间测定烧失率确定最佳保温时间,对粉体进行DTA-TG测定分析样品质量变化与温度的关系,最后对实验前后的样品进行XRD物相分析,最终得到除碳最佳煅烧温度900℃,最佳保温时间3h。