磁控溅射法制备W-Cu薄膜的研究

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采用W70Cu30单靶磁控溅射与纯W、纯Cu双靶磁控共溅两种工艺,在多种基材上制备W-Cu薄膜,分析了薄膜的宏观形貌和组织结构。分析结果表明:单靶磁控溅射时,控制靶电压520V,溅射电流0.8~1.2A,Ar气流量25mL/min(标准状态),可在玻璃基体上镀得W-Cu薄膜,但退火时如温度过高,会使W和Cu两种元素原子偏聚加重;双靶磁控溅射时,控制Ar气流量20mL/min(标准状态),Cu靶电流0.7A,W靶电流1.2A,溅射时间3600s,可在硅基和玻璃基上镀得W-Cu薄膜,但在石墨基体、陶瓷基体及4
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