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本文分析并给出了在无应力及界面态的理想条件下ｎｐｎ Ｓｉ１－ｙＧｅｙ基区ＨＢＴ集电结势垒高度的近似公式，重点推导了集电区穿通时的垫垒区宽度的定量计算公式，在比较了未发生集电区穿通的势垒区宽度后，得到了重要结论。同时，末文料给出了考虑应力及界面态密度后对模型的修正方法。
高频npnSi1—y Gey基区HBT的集电结势垒区模型
【摘 要】
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本文分析并给出了在无应力及界面态的理想条件下ｎｐｎ Ｓｉ１－ｙＧｅｙ基区ＨＢＴ集电结势垒高度的近似公式，重点推导了集电区穿通时的垫垒区宽度的定量计算公式，在比较了未发生集电区穿通的势垒区宽度后
【机 构】
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东南大学微电子中心
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1999年5期
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