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采用脉冲激光沉积术(PLD)同质外延生长了表面原子级平整的6%(原子比)Cr掺杂的金红石相TiO2(110)单晶薄膜,采用扫描隧道显微镜(STM)、扫描隧道谱(STS)、X射线光电子能谱(xPS)和紫外光电子能谱(UPS)对其进行了表征.结果表明:Cr掺杂对TiO2(110)-(1×1)表面的形貌没有明显影响,但是提高了掺杂薄膜在负偏压的导电性:Cr与晶格O键合而呈现+3价态,由此在TiO2的价带顶上方-0.4eV处引入杂质能级.紫外.可见光吸收谱显示薄膜的光吸收能力被扩展到-650nm,处于可