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采用脉冲激光沉积术（PLD）同质外延生长了表面原子级平整的6％（原子比）Cr掺杂的金红石相TiO2（110）单晶薄膜，采用扫描隧道显微镜（STM）、扫描隧道谱（STS）、X射线光电子能谱（xPS）和紫外光电子能谱（UPS）对其进行了表征．结果表明：Cr掺杂对TiO2（110）-（1×1）表面的形貌没有明显影响，但是提高了掺杂薄膜在负偏压的导电性：Cr与晶格O键合而呈现＋3价态，由此在TiO2的价带顶上方-0．4eV处引入杂质能级．紫外．可见光吸收谱显示薄膜的光吸收能力被扩展到-650nm，处于可