【摘 要】
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采用传统固相法制备了Na0.25K0.25Bi2.5-xHoxNb2O9(NKBN-xHo3+,0.000≤x≤0.030)铋层状陶瓷,研究了Ho3+掺杂对NKBN陶瓷结构、电学和上转换发光性能的影响.X射线衍射谱表明Ho3
【机 构】
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景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院,江西省先进陶瓷材料重点实验室,江西景德镇 333001
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采用传统固相法制备了Na0.25K0.25Bi2.5-xHoxNb2O9(NKBN-xHo3+,0.000≤x≤0.030)铋层状陶瓷,研究了Ho3+掺杂对NKBN陶瓷结构、电学和上转换发光性能的影响.X射线衍射谱表明Ho3+进入NKBN晶格形成了固溶体.随着Ho3+掺杂量的增加,NKBN陶瓷的晶粒尺寸降低,当x=0.020时,样品的压电和铁电性能均达到最佳:d33=21.8 pC/N 2Pr=1.84μC/cm.(d33为压电常数,Pr为剩余极化强度)所有样品在400℃均未出现明显的退极化现象,在高温下表现出良好的压电稳定性.在980 nm激光激发下,所有陶瓷样品均表现出上转换荧光发光特性,表明NKBN-xHo3+陶瓷在光电多功能材料领域具有潜在的应用价值.随着极化电压的增加,陶瓷样品的晶格结构对称性提高,上转换荧光发光强度降低.
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