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一种改进的嵌入式SRAM内建自测试设计
一种改进的嵌入式SRAM内建自测试设计
来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yaoshikyo
【摘 要】
:
对单端口SRAM常用的13N测试算法进行修改和扩展,提出了一种适用于双端口SRAM的测试算法.该测试算法的复杂度为O(n),具有很好的实用性.作为一个实际应用,通过将该算法和13N测
【作 者】
:
张卫新
侯朝焕
【机 构】
:
中国科学院声学研究所
【出 处】
:
微电子学
【发表日期】
:
2003年3期
【关键词】
:
嵌入式
SRAM
测试算法
可测性设计
存储器
控制器
测试诊断
地址发生器
Embedded SRAM Built-in self-test Design f
【基金项目】
:
国家重点基础研究发展计划(973计划)
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对单端口SRAM常用的13N测试算法进行修改和扩展,提出了一种适用于双端口SRAM的测试算法.该测试算法的复杂度为O(n),具有很好的实用性.作为一个实际应用,通过将该算法和13N测试算法实现于测试算法控制单元,完成了对片内多块单端口SRAM和双端口SRAM的自测试设计.
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