响应[N（NH3）3]气体TiO2敏感材料低阻化研究

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：meyxiao

【摘要】

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通过N2气氛高温退火、Nb2O5掺杂和采用梳状电极结构等方法,成功提高了TiO2基敏感材料的电导率.实验证明,降低氧分压可增强TiO2自身半导化程度;掺入10%左右Nb2O5,Nb5+替代Ti4+

【作者】

：

艾玉杰裴素华

【机构】

：

山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所

【出处】

：

微纳电子技术

【发表日期】

：

2005年6期

【关键词】

：

二氧化钛 N2退火 Nb^5+掺杂低阻化 TiO2anealing in N2doping with Nb5+low resistance

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通过N2气氛高温退火、Nb2O5掺杂和采用梳状电极结构等方法,成功提高了TiO2基敏感材料的电导率.实验证明,降低氧分压可增强TiO2自身半导化程度;掺入10%左右Nb2O5,Nb5+替代Ti4+形成固溶体,可使TiO2得到最佳半导化效果;采用梳状电极结构,可以在一定程度上减小器件阻值,从而为制造低阻、高灵敏度、高选择性动物食品测鲜传感器开辟了一条新途径.

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