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利用中频反应磁控溅射成功制备了AIN薄膜。研究了过程参数例如靶电流、溅射气压和氮浓度对AIN薄膜沉积速率和光学性能的影响规律。实验结果表明，在优化制备工艺的基础上，能够制备出具有优良光学性能（高折射率、低消光系数、高透射率）的AIN薄膜。
中频反应磁控溅射制备AlN薄膜的工艺研究
【摘 要】
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利用中频反应磁控溅射成功制备了AIN薄膜。研究了过程参数例如靶电流、溅射气压和氮浓度对AIN薄膜沉积速率和光学性能的影响规律。实验结果表明，在优化制备工艺的基础上，能够制
【机 构】
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东北大学机械工程与自动化学院,辽宁石油化工大学机械学院,中国科学院金属研究所
【出 处】
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真空科学与技术学报
【发表日期】
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2007年4期
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