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采用双离子束溅射法制备了SiOxNy薄膜，用X射线衍射分析（XRD），透射电子显微镜（TEM），X射线光电子能谱（XPS），傅立叶变换红外（FTIR）等对薄膜的结构进行了表征，分析了样品的光致发光（PL）特性。X射线衍射（XRD），透射电子显微镜（TEM）结果表明该薄膜具有非晶结构。XPS测试表明Nls的特征峰位于398eV，对应于N-Si键。在光吸收谱中，与Si-SiO2薄膜相比，SiOxNy的光学带隙得到展宽。在225nm的激光激发下，样品在室温下可发射可见光，峰位位于590nm，与N的缺陷有关。