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[学位论文] 作者：修向前,
来源：中国科学技术大学 年份：2000
该论文共分为两部分.第一部分,研究了非晶及纳米氧化锆的组成结构性质及其电导和发光性质.用溶胶-凝胶法制备了二氧化锆凝胶,在不同温度下热处理得到非晶ZrO前驱物和非晶及纳...
[期刊论文] 作者：修向前, 张荣,,
来源：中国照明电器 年份：2017
GaN同质外延衬底的研制对发展氮化物半导体激光器、大功率高亮度LED,以及高功率电子器件等是非常重要的。本文介绍了宽禁带氮化物半导体衬底材料研究方面技术原理、新方法以...
[期刊论文] 作者：卢佃清,修向前,
来源：物理实验 年份：2006
根据GaN氢化物气相外延生长（HVPE）的原理，设计制作了双温区卧式HVPE系统．根据实际生长中出现的问题和GaN样品的测试情况．对系统进行了逐步的调试和改进．...
[期刊论文] 作者：戴必胜,陈琳,陶志阔,修向前,
来源：半导体光电 年份：2020
建立了用于生长直径为15.24cm(6inch)的Ga2O3材料的氢化物气相外延(HVPE)生长腔的二维几何模型，对Ga2O3材料的生长进行了数值模拟。依次优化了GaCl进气速度、O2进气速度、喷口到衬底间的距离等关键参数，在较高生长速率下使衬底上的Ga2O3膜厚相对均匀度达到7.02%。......
[期刊论文] 作者：刘庆东,陈琳,陶志阔,修向前,
来源：半导体光电 年份：2021
使用数值模拟的方法,对氢化物气相外延(HVPE)生长α-Ga2O3材料的温度和反应源气流进行了优化.区别于传统的在反应腔内HCl或Cl2携带Ga源的结构,使用了外置Ga源的方法,可以较准...
[期刊论文] 作者：余平, 孙文旭, 修向前, 马思乐,
来源：微纳电子技术 年份：2022
为了实现氢化物气相外延（HVPE）技术在蓝宝石衬底上外延生长氮化镓（GaN）过程的全自动控制，进一步提高系统的精确性和稳定性，设计了一种新型HVPE控制系统。该控制系统选用可编程逻辑控制器（PLC）为控制器，采用组态王开发系统监控软件。利用模糊推理机制和仿真分析，设计模糊比......
[会议论文] 作者：张荣, 修向前, 陆海, 陈鹏, 谢自力, 刘斌, 韩平,,
来源： 年份：2004
HVPE是近年来收到高度重视的GaN生长方法。由于它具有生长速率高、生长质量优良等特点,是目前发展GaN自支撑衬底、GaN模板和部分低成本器件的优选方法。本文将综述GaN的H...
[期刊论文] 作者：张李骊,刘战辉,修向前,张荣,谢自力,,
来源：物理学报 年份：2013
系统研究了低温成核层生长时间、高温生长时的V/III比以及生长温度对氢化物气相外延生长GaN膜晶体质量的影响.研究发现合适的低温成核层为后续高温生长提供成核中心,并能有效...
[期刊论文] 作者：陶志阔,张荣,陈琳,修向前,谢自力,郑有炓,
来源：功能材料 年份：2012
应用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法,在c轴取向的GaN上生长出Fe颗粒薄膜以及Fe3N薄膜。应用XRD、AFM、XPS以及SQUID等技术对薄膜的结构、表面形貌以及磁学性能等性质进行了...
[期刊论文] 作者：童麟,谢自力,修向前,张琦,聂超,刘斌,张荣,
来源：微纳电子技术 年份：2007
采用CVD、碳纳米管模板法等方法已经制成了纳米线、纳米管等多种结构;同时研制成功多种一维纳米结构的阵列.用CVD方法合成的AlN纳米线直径为几十纳米、纳米线长度可以达到几...
[期刊论文] 作者：赵红, 张荣, 谢自力, 刘斌, 修向前, 陆海, 李亮, 刘战,
来源：半导体学报 年份：2008
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[会议论文] 作者：张荣, 修向前, 陆海, 陈鹏, 谢自力, 刘斌, 韩平, 刘治,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议论文集 年份：2010
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[期刊论文] 作者：孔洁莹,张荣,刘斌,谢自力,张勇,修向前,郑有炓,,
来源：半导体学报 年份：2007
利用吸收光谱、光致发光谱、喇曼散射光谱和椭圆偏振光谱一系列光学手段，对采用金属有机物气相沉积法（MOCVD）制备的InN薄膜的光学性质进行了系统研究．吸收光谱和光致发光谱的结果......
[期刊论文] 作者：张李骊,刘战辉,钟霞,修向前,张荣,谢自力,,
来源：半导体技术 年份：2016
详细研究了分别利用Ga Zn O薄膜和纳米级Ni/Au薄膜作为透明导电层(TCL)的绿光LED芯片的光电性能。利用扫描电子显微镜和透射光谱对Ga Zn O TCL和传统的纳米级Ni/Au TCL进行结...
[会议论文] 作者：刘斌,张荣,谢自力,修向前,陈鹏,陆海,韩平,郑有炓,
来源：第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009) 年份：2009
AIGaN薄膜是LED结构的重要组成部分.本文报告我们在AlGaN薄膜的MOCVD生长及p型掺杂研究的新结果....
[期刊论文] 作者：谢自力, 张荣, 毕朝霞, 刘斌, 修向前, 顾书林, 江若琏,,
来源：微纳电子技术 年份：2004
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[期刊论文] 作者：卢佃清, 张荣, 修向前, 李杰, 顾书林, 沈波, 施毅,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
研究了利用水平氢化物气相外延 (HVPE)系统在蓝宝石衬底上外延氮化镓 (Ga N)的生长规律 ,重点研究了作为载气的氮气流量对 Ga N膜的结构及光学性质的影响。观察到载气流量对...
[期刊论文] 作者：刘战辉, 张李骊, 李庆芳, 修向前, 张荣, 谢自力,,
来源：功能材料 年份：2013
利用氢化物气相外延技术在c面蓝宝石上生长得到纤锌矿结构GaN膜。采用高分辨X射线衍射、拉曼光谱和光致发光谱对GaN外延膜进行了结构表征和光学性质研究，重点探讨了光致发光谱...
[期刊论文] 作者：刘战辉,张李骊,李庆芳,修向前,张荣,谢自力,,
来源：半导体技术 年份：2013
系统研究了HCl的载气、NH3的载气、总N2载气流量以及镓源反应温度和外延生长温度对氢化物气相外延技术在c面蓝宝石上生长的GaN膜晶体质量的影响,并利用高分辨X射线衍射技术,...
[会议论文] 作者：张荣, 修向前, 崔旭高, 陶志阔, 李斌斌, 刘斌, 李杰,
来源： 年份：2004
半导体自旋电子材料是实现自旋电子器件、自旋光电子器件和量子信息器件的物质基础。传统的 GaAs 基稀释磁性半导体的居里温度只有110K,为了实际应用,急需发展居里温度在...
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