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[期刊论文] 作者：贺洪波,范正修,姚振钰,汤兆胜,
来源：中国科学E辑:技术科学 年份：2000
采用常规磁控溅射方法 ,通过优化工艺 ,在Si( 10 0 ) ,Si( 111)多种基片上沉积ZnO薄膜 .利用透射电镜 (TEM)、X射线衍射 (XRD)和X射线摇摆曲线 (XRC) ,对ZnO薄膜的微区形貌、...
[期刊论文] 作者：廖梅勇,秦复光,柴春林,刘志凯,杨少延,姚振钰,王占国,,
来源：物理学报 年份：2001
利用质量分离的低能离子束沉积技术,得到了非晶碳膜.所用离子能量为50-200eV,衬底温度从室温到800℃.在沉积的能量范围内,衬底为室温时薄膜为类金刚石,表面非常光滑;而600℃...
[期刊论文] 作者：黄大定,秦复光,姚振钰,刘志凯,任治璋,林兰英,高维滨,任庆余,
来源：半导体学报 年份：1995
采用质量分离的低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在硅（１１１）衬底上共淀积，生长了氧化铈外延薄膜．椭圆偏振仪测得，膜厚２０００Ａ．俄歇能谱仪测得，外延层内铈、氧分布均匀，具有很好的正化学比．Ｘ射线双晶衍射得到明......
[期刊论文] 作者：姚振钰,贺洪波,柴春林,刘志凯,杨少延,张建辉,廖梅勇,范正修,秦复光,王占国,林兰英,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
室温下在p Si(1 0 0 )上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的 ,XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了带边...
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